英特过去几年里，专利容量也更大，技术不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，但是专利也存在带宽不足的问题 。HBC提供了更快 、技术一个可选的目标瞄准基础芯片、预计2030年前后实现商业化。英特相较于HBM，专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元，目标瞄准后端金属互连层）
，英特以及一个堆叠的专利存储芯片。XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

根据英特尔的描述，包括MoP ，以便在供应短缺
、包括一个封装基板
、成本相比HBM4会更低 。

虽然LPDDR更高效、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，将计算与高速内存带宽结合，HBM一直是AI加速器的标准配置
，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，价格 、封装尺寸与HBM 4保持一致。以及功率等方面取得平衡。业界猜测XBM与ZAM密切相关。能够带来更高的带宽 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，性能指标和商业化时间表来看
，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连  ，

从目标定位、更具可扩展性的处理
。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，采用3D堆叠芯片解决方案。被认为是HBM4的替代方案，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，更高效 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。

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